TLV2382IDRG4

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TLV2382IDRG4中文资料参数规格
技术参数

输出电流 0.4mA @2.7V

供电电流 7 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.71 W

共模抑制比 58 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs

增益频宽积 0.16 MHz

输入补偿电压 4.5 mV

输入偏置电流 0.06 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 58 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLV2382IDRG4引脚图与封装图
TLV2382IDRG4引脚图
TLV2382IDRG4封装图
TLV2382IDRG4封装焊盘图
在线购买TLV2382IDRG4
型号: TLV2382IDRG4
制造商: TI 德州仪器
描述:10uA/Channel, 160kHz, RRIO Dual Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃
替代型号TLV2382IDRG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV2382IDRG4

TI 德州仪器

当前型号

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