对比图
型号 TLV2382ID TLV2382IDRG4 TLV2382IDR
描述 BiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas Instruments10uA/Channel, 160kHz, RRIO Dual Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃TEXAS INSTRUMENTS TLV2382IDR 芯片, 运算放大器, 160KHz, 0.06V/uS, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 7 µA 7 µA 7 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 - 8
耗散功率 0.71 W 0.71 W 710 mW
共模抑制比 58 dB 58 dB 58dB ~ 74dB
输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K
带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz
转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs
增益频宽积 160 kHz 0.16 MHz 160 kHz
输入补偿电压 500 µV 4.5 mV 500 µV
输入偏置电流 1 pA 0.06 nA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 0.16 MHz - 0.16 MHz
耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW
共模抑制比(Min) 58 dB 58 dB 58 dB
电源电压(Max) - - 16 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
电源电压(DC) 16.0 V - -
电源电压 2.7V ~ 16V - -
输出电流 - 0.4mA @2.7V -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
高度 1.58 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - -