TJ15S06M3LT6L1,NQ

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TJ15S06M3LT6L1,NQ概述

MOSFET P-Ch MOS 1770pF 41W 36NC -15A -60V

P-Channel 60V 15A Ta 41W Tc Surface Mount DPAK+


得捷:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK


贸泽:
MOSFET P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3


TJ15S06M3LT6L1,NQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 41 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1770pF @10VVds

下降时间 62 ns

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TJ15S06M3LT6L1,NQ
型号: TJ15S06M3LT6L1,NQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET P-Ch MOS 1770pF 41W 36NC -15A -60V

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