TK4A60DASTA4,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK4A60DASTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 600V 3.5A

N-Channel 600V 3.5A Ta Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

TK4A60DASTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK4A60DASTA4,Q,M引脚图与封装图

在线购买TK4A60DASTA4,Q,M

型号： TK4A60DASTA4,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：TO-220SIS N-CH 600V 3.5A