TLE2082IDG4

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TLE2082IDG4概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLE2082IDG4  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚

The is a dual high-speed JFET-input Operational Amplifier more than double the bandwidth and triple the slew rate of the TL07x and TL08x families of BiFET operational amplifier. The TLE208x also has wider supply-voltage rails, increasing the dynamic-signal range for BiFET circuits to ±19V. On-chip zener trimming of offset voltage yields precision grades for greater accuracy in DC-coupled applications. The TLE208x is pin-compatible with lower performance BiFET operational amplifier for ease in improving performance in existing designs. BiFET operational amplifier offers the inherently higher input impedance of the JFET-input transistors, without sacrificing the output drive associated with bipolar amplifiers. This makes this amplifier better suited for interfacing with high-impedance sensors or very low level AC signals. It also features inherently better AC response than bipolar or CMOS devices having comparable power consumption.

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On-chip offset voltage trimming for improved DC performance
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Wider supply rails increase dynamic signal range to ±19V
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2.4µV/°C Typical offset drift
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98dB Typical CMRR
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Green product and no Sb/Br
TLE2082IDG4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 38.0 V

输出电流 ≤80 mA

供电电流 3.1 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 725 mW

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K

带宽 10 MHz

转换速率 40.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 20 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 10 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

电源电压Max 19 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买TLE2082IDG4
型号: TLE2082IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLE2082IDG4  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚
替代型号TLE2082IDG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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