对比图
型号 TLE2082IDG4 TLE2082IDR TLE2072ID
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLE2082IDG4 运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS TLE2072ID 运算放大器, 双路, 9.4 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 38.0 V - -
输出电流 ≤80 mA - ≤80 mA
供电电流 3.1 mA 3.1 mA 3.1 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 - 8
耗散功率 725 mW 725 mW -
共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K 2.40 µV/K
带宽 10 MHz 9.4 MHz 9.4 MHz
转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs
增益频宽积 9.4 MHz 10 MHz 9.4 MHz
输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV
输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) 19 V - 19 V
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm
高度 1.58 mm 1.5 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15