THS4120CDR

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THS4120CDR概述

3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown

差分 放大器 1 电路 差分 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8SOIC


艾睿:
SP Amp DIFF AMP Single ±1.75V/3.5V 8-Pin SOIC T/R


THS4120CDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 100mA @3.3V

供电电流 11 mA

电路数 1

耗散功率 1020 mW

带宽 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 1.2 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

3dB带宽 100 MHz

耗散功率Max 1020 mW

共模抑制比Min 60dB ~ 75dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

THS4120CDR引脚图与封装图
THS4120CDR引脚图
THS4120CDR封装图
THS4120CDR封装焊盘图
在线购买THS4120CDR
型号: THS4120CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown
替代型号THS4120CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

THS4120CDR

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完全替代

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德州仪器

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