THS4120CD和THS4120CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4120CD THS4120CDR THS4120IDR

描述 3.3V,100MHZ全差分满幅度输出运放3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 100mA @3.3V 100mA @3.3V 100mA @3.3V

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 - 1

耗散功率 1020 mW 1020 mW 1.02 W

共模抑制比 64 dB - 64 dB

输入补偿漂移 25.0 µV/K - 25.0 µV/K

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs 55.0 V/μs 55.0 V/μs

增益频宽积 100 MHz - 100 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 1.2 pA 1.2 pA 1.2 pA

可用通道 S - S

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 60dB ~ 75dB 60dB ~ 75dB 60dB ~ 75dB

电源电压(Max) 3.5 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.5 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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