TC427EPA

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TC427EPA概述

TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 CL = 1000 pF:30 ns 高峰值输出电流:1.5A 高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV 低输入电流(逻辑“0”或“1”):1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相 工作电源电压:4.5V 至 18V 电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗:6 Ω 防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护:2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Microchip

TC426/427/428 MOSFET 驱动器

TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。

### 特点

高速切换 CL = 1000 pF:30 ns

高峰值输出电流:1.5A

高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV

低输入电流(逻辑“0”或“1”):1 μA

与 TTL/CMOS 输入兼容

配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相

工作电源电压:4.5V 至 18V

电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA

单电源操作

低输出阻抗:6 Ω

防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流

ESD 保护:2 kV

TC427EPA中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 30 ns

输出接口数 2

供电电流 8.00 mA

耗散功率 730 mW

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 6.6 mm

高度 4.06 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TC427EPA引脚图与封装图
TC427EPA引脚图
TC427EPA封装图
TC427EPA封装焊盘图
在线购买TC427EPA
型号: TC427EPA
制造商: Microchip 微芯
描述:TC426/427/428 MOSFET 驱动器 Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。 ### 特点 高速切换 CL = 1000 pF:30 ns 高峰值输出电流:1.5A 高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV 低输入电流(逻辑“0”或“1”):1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相 工作电源电压:4.5V 至 18V 电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗:6 Ω 防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护:2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Microchip
替代型号TC427EPA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TC427EPA

Microchip 微芯

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