TPS2815DR

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TPS2815DR概述

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:2A 拉:2A


德州仪器TI:
2-A/2-A dual-channel gate driver with Two NAND inputs for each output


艾睿:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC T/R


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT High Speed 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT High Speed 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Driver 2A 2-OUT High Speed 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TPS2815DR  MOSFET Driver, 2 outputs, High Side, 4V-14V supply, 2A output, SOIC-8


TPS2815DR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 14ns, 15ns

输出接口数 2

耗散功率 0.73 W

上升时间 35 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

电源电压 4V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TPS2815DR引脚图与封装图
TPS2815DR引脚图
TPS2815DR封装图
TPS2815DR封装焊盘图
在线购买TPS2815DR
型号: TPS2815DR
制造商: TI 德州仪器
描述:双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
替代型号TPS2815DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS2815DR

TI 德州仪器

当前型号

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TPS2815D

德州仪器

完全替代

TPS2815DR和TPS2815D的区别

TPS2815DRG4

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完全替代

TPS2815DR和TPS2815DRG4的区别

TPS2815DG4

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类似代替

TPS2815DR和TPS2815DG4的区别

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