TPS2815DG4和TPS2815DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2815DG4 TPS2815DR TPS2815D

描述 双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERSMOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2 A - 2.00 A

耗散功率 730 mW 0.73 W 0.73 W

上升时间 14 ns 35 ns 35 ns

下降时间 15 ns 35 ns 35 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 730 mW 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

输出电压 - - 11.5 V

供电电流 - - 5.00 mA

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

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