TPS1101DRG4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TPS1101DRG4中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 0.791 W

漏源极电压Vds 15 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 5.5 ns

下降时间 13 ns

耗散功率Max 791mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TPS1101DRG4引脚图与封装图

TPS1101DRG4引脚图

TPS1101DRG4封装图

TPS1101DRG4封装焊盘图

在线购买TPS1101DRG4

型号： TPS1101DRG4

制造商： TI 德州仪器

描述：单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

替代型号TPS1101DRG4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
TPS1101DRG4 TI 德州仪器	当前型号	当前型号
TPS1101DG4 德州仪器	完全替代	TPS1101DRG4和TPS1101DG4的区别
TPS1101D 德州仪器	类似代替	TPS1101DRG4和TPS1101D的区别
TPS1101DR 德州仪器	类似代替	TPS1101DRG4和TPS1101DR的区别