










TN0106N3-G 袋装
N-Channel 60V 350mA Tj 1W Tc Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
欧时:
MOSFET, N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE, 60V
立创商城:
N沟道 60V 350mA
贸泽:
MOSFET 60V 3Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE, 60V, 3.0 Ohm3 TO-92 BAG
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; 1W; TO92
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
额定功率 1 W
极性 N-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.35A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TN0106N3-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
TN0106N3-G-P013 微芯 | 完全替代 | TN0106N3-G和TN0106N3-G-P013的区别 |
TN0106N3-G-P003 微芯 | 类似代替 | TN0106N3-G和TN0106N3-G-P003的区别 |