TN0106N3-G和TN0106N3-G-P003

对比图

型号 TN0106N3-G TN0106N3-G-P003 TN0106N3-G-P013

描述 TN0106N3-G 袋装Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 1 W 1 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

上升时间 3 ns 3 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 1 W

下降时间 3 ns 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

额定功率 1 W - -

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 0.35A - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 4.5 Ω -

漏源击穿电压 - 60 V -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅