TN0702N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TN0702N3-G概述

TN0702N3-G 袋装

Make an effective common source amplifier using this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

TN0702N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1 W

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.53A

输入电容Ciss 200 pF

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TN0702N3-G引脚图与封装图

在线购买TN0702N3-G

型号： TN0702N3-G

制造商： Microchip 微芯

描述：TN0702N3-G 袋装

立即咨询

替代型号TN0702N3-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
TN0702N3-G Microchip 微芯	当前型号	当前型号
DMG6968U-7 美台	功能相似	TN0702N3-G和DMG6968U-7的区别
2N6660 微芯	功能相似	TN0702N3-G和2N6660的区别
ZVP2106A 美台	功能相似	TN0702N3-G和ZVP2106A的区别