对比图
型号 DMG6968U-7 TN0702N3-G SI2312CDS-T1-GE3
描述 DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3TN0702N3-G 袋装SI2312CDS-T1-GE3 编带
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Microchip (微芯) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.021 Ω 1 Ω 0.0265 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 1.3 W 1 W 1.25 W
阈值电压 500 mV 1 V 450 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 6.5A 0.53A 6A
上升时间 66 ns - 17 ns
输入电容(Ciss) 151pF @10V(Vds) 200 pF 865pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 810 mW - 2.1 W
下降时间 205 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1300 mW 1W (Tc) 1250 mW
额定功率 1.3 W 1 W -
输入电容 151 pF - -
封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
长度 3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99