TP2535N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

TP2535N3-G概述

TO-92P-CH 350V 0.086A

P-Channel 350V 86mA Tj 740mW Ta Through Hole TO-92-3

得捷:
MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3

立创商城:
TP2535N3-G

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 350V 0.086A 3-Pin TO-92

Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -350V, 25 Ohm3 TO-92 BAG

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.4A; 740mW; TO92

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag

TP2535N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.74 W

极性 P-CH

耗散功率 0.74 W

漏源极电压Vds 350 V

连续漏极电流Ids 0.086A

输入电容Ciss 125 pF

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 740mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TP2535N3-G引脚图与封装图

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型号： TP2535N3-G

描述：TO-92P-CH 350V 0.086A

替代型号TP2535N3-G