对比图
型号 TP2535N3-G VP0550N3-G TN5335K1-G
描述 TO-92P-CH 350V 0.086ATO-92P-CH 500V 0.054A晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3
额定功率 0.74 W 1 W 0.36 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 125 Ω 15 Ω
极性 P-CH P-CH N-CH
耗散功率 0.74 W 1 W 0.36 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 350 V 500 V 350 V
连续漏极电流(Ids) 0.086A 0.054A 0.11A
上升时间 - 8 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 125 pF 70pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 740mW (Ta) 1W (Tc) 360mW (Ta)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V -
封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3
长度 - 5.21 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅