TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ图片1
TPN3300ANH,LQ概述

8-TSON高级

N-Channel 100V 9.4A Tc 700mW Ta, 27W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON


TPN3300ANH,LQ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 28 mΩ

耗散功率 27 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 880pF @50VVds

额定功率Max 27 W

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 27W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPN3300ANH,LQ
型号: TPN3300ANH,LQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-TSON高级

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