TLV2313IDR

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TLV2313IDR概述

2 通道、1MHz、RRIO、低功耗、成本优化型 5.5V CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125

放大器 2 电路


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2313IDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current 65-μA, RRIO operational amplifier


艾睿:
Op Amp Dual Precision Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


TLV2313IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 65 µA

电路数 2

共模抑制比 64 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

转换速率 500 mV/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 750 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 64 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLV2313IDR引脚图与封装图
TLV2313IDR引脚图
TLV2313IDR封装图
TLV2313IDR封装焊盘图
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型号: TLV2313IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:2 通道、1MHz、RRIO、低功耗、成本优化型 5.5V CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125

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