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TIP42B图片1

TIP42B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 4V

额定功率Max 65 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TIP42B

型号： TIP42B

制造商： Central Semiconductor

描述：Leaded Power Transistor General Purposeo

替代型号TIP42B

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

TIP42B

Central Semiconductor

当前型号

当前型号

2N4398

NTE Electronics

功能相似

TIP42B和2N4398的区别