UMC3NT1

UMC3NT1图片1
UMC3NT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

集电极击穿电压 50.0 V

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买UMC3NT1
型号: UMC3NT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors
替代型号UMC3NT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMC3NT1

ON Semiconductor 安森美

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