UMC3NT1和UMC3NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMC3NT1 UMC3NT1G

描述 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5

封装 SOT-353 SC-88-5

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 PNP NPN, PNP

耗散功率 150 mW 150 mW

集电极击穿电压 50.0 V 50.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 35

额定功率(Max) - 150 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

封装 SOT-353 SC-88-5

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

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