UCC27526DSDT

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UCC27526DSDT概述

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SON


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:5A 拉:5A


德州仪器TI:
5-A/5-A dual-channel gate driver with 5-V UVLO, enable, and dual TTL inputs


欧时:
### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


贸泽:
门驱动器 Dual,5A,Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr


艾睿:
Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R


安富利:
MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin WQFN T/R


Chip1Stop:
Driver 5A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R


Verical:
Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R


UCC27526DSDT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 7ns, 6ns

输出接口数 2

输出电流 5 A

上升时间 7 ns

下降时间 7 ns

下降时间Max 10 ns

上升时间Max 18 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 0.72 mm

封装 WDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

UCC27526DSDT引脚图与封装图
UCC27526DSDT引脚图
UCC27526DSDT封装图
UCC27526DSDT封装焊盘图
在线购买UCC27526DSDT
型号: UCC27526DSDT
制造商: TI 德州仪器
描述:MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
替代型号UCC27526DSDT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UCC27526DSDT

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

UCC27526DSDR

德州仪器

完全替代

UCC27526DSDT和UCC27526DSDR的区别

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