双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 MOSFET 灌:4A 拉:4A
艾睿:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Driver 4.5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
德州仪器TI:
Non-inverting 4-A/4-A dual-channel low side gate driver
上升/下降时间 20ns, 15ns
输出接口数 2
耗散功率 1.14 W
上升时间 40 ns
下降时间 40 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1140 mW
电源电压 4.5V ~ 15V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
UCC27324DRG4 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
UCC27324DR 德州仪器 | 完全替代 | UCC27324DRG4和UCC27324DR的区别 |
UCC27424DR 德州仪器 | 类似代替 | UCC27324DRG4和UCC27424DR的区别 |
UCC27324D 德州仪器 | 类似代替 | UCC27324DRG4和UCC27324D的区别 |