UMT NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 30.0 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMH5NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
XP0621200L 松下 | 功能相似 | UMH5NTR和XP0621200L的区别 |