UMA6NTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

UMA6NTR概述

TUMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin TUMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

UMA6NTR中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TSSOP-5

外形尺寸

封装 TSSOP-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UMA6NTR

型号： UMA6NTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：TUMT PNP 50V 100mA

替代型号UMA6NTR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UMA6NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
UMA3NTR 罗姆半导体	完全替代	UMA6NTR和UMA3NTR的区别
EMA3T2R 罗姆半导体	完全替代	UMA6NTR和EMA3T2R的区别
EMA4T2R 罗姆半导体	完全替代	UMA6NTR和EMA4T2R的区别