










US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6
US6M11 Series N/ P-Channel 20 V/12 V 1 W 600 mOhm Drive MosFet SMT - TUMT-6
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R
Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
针脚数 6
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20V, 12V
连续漏极电流Ids 1.5A/1.3A
输入电容Ciss 110pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free


