US6M11TR

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US6M11TR概述

US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6

US6M11 Series N/ P-Channel 20 V/12 V 1 W 600 mOhm Drive MosFet SMT - TUMT-6


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V/12V 1.5A/1.3A 6-Pin TUMT T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6


US6M11TR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20V, 12V

连续漏极电流Ids 1.5A/1.3A

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

US6M11TR引脚图与封装图
US6M11TR引脚图
US6M11TR封装图
US6M11TR封装焊盘图
在线购买US6M11TR
型号: US6M11TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:US6M11 系列 N/ P-沟道 20 V/12 V 1 W 600 mOhm 驱动 MosFet 表面贴装 - TUMT-6

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