UMT1N

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UMT1N概述

UMT1N PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT363 标记T1 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -150MA/-0.15A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 140MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 120~560 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5V 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW 描述与应用 Description & Applications | 通用晶体管隔离双晶体管   两个2 sa1037ak芯片 技术文档PDF下载 | 在线阅读


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin UMT


UMT1N中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP+PNP

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.15A

最小电流放大倍数hFE 120

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买UMT1N
型号: UMT1N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:UMT1N PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT363 标记T1 用于开关/数字电路
替代型号UMT1N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMT1N

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

UMT1

Secos

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UMT1N和UMT1的区别

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