US5U1

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US5U1概述

US5U1 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 30V 1.5A 500mA/0.5A 0.47V SOT-353/SC70-5/TUMT5 marking/标记 U01 高速开关/低导通电阻/低驱动电压

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| N沟道 N-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 30V 最大漏极电流IdDrain Current| 12V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.5A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 240mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1.5A 耗散功率PdPower Dissipation| 0.5~1.5V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V


US5U1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N+SBD

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

封装参数

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: US5U1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:US5U1 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 30V 1.5A 500mA/0.5A 0.47V SOT-353/SC70-5/TUMT5 marking/标记 U01 高速开关/低导通电阻/低驱动电压

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