UPA836TC NPN+NPN复合三极管 9V 30mA/100mA 75~150/80~160 SOT-563 标记V47 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | Q1/Q2=9V/9V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | Q1/Q2=6V/6V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | Q1/Q2=30MA/100MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | Q1/Q2=12GHZ/9GHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | Q1/Q2=75~150/80~160 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | Q1/Q2= 耗散功率Pc Power Dissipation | NPN型硅外延双晶体管 两个不同的模具类型: Q1 -理想晶体管振荡器 Q2 -理想的缓冲放大器晶体管 描述与应用 Description & Applications | 技术文档PDF下载 | 在线阅读
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
封装 SOT-563
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2=9V/9V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2=6V/6V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2=30MA/100MA
截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2=12GHZ/9GHZ
直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2=75~150/80~160
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2=
耗散功率Pc Power Dissipation NPN型硅外延双晶体管 两个不同的模具类型: Q1 -理想晶体管振荡器 Q2 -理想的缓冲放大器晶体管
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