US1AHE3/5AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

US1AHE3/5AT概述

DIODE 1A, 50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

得捷:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

贸泽:
Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM

US1AHE3/5AT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1V @1A

反向恢复时间 50 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US1AHE3/5AT

型号： US1AHE3/5AT

描述：DIODE 1A, 50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

替代型号US1AHE3/5AT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
US1AHE3/5AT Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
US1AHE3_A/I 威世	完全替代	US1AHE3/5AT和US1AHE3_A/I的区别
S1J-E3/61T 威世	类似代替	US1AHE3/5AT和S1J-E3/61T的区别
S1A-13-F 美台	功能相似	US1AHE3/5AT和S1A-13-F的区别