V10D45C-M3/I

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V10D45C-M3/I概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 5A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab Variant


欧时:
### TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor


得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V 5A SMPD


艾睿:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab SMPD T/R


V10D45C-M3/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 580 mV

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A

正向电压Max 580 mV

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 8.99 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V10D45C-M3/I
型号: V10D45C-M3/I
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

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