VNS1NV04DP-E

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VNS1NV04DP-E概述

STMICROELECTRONICS  VNS1NV04DP-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO


欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N Tube


富昌:
VNS1NV04 Series 40V 1.7 A OMNIFET II Fully Auto-Protected Low-Side Driver-SOIC-8


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 2-OUT 1.7A 0.25Ohm Automotive 8-Pin SO N Tube


TME:
Driver; low-side switch; 1.7A; 4W; Channels:2; SO8; Package: tube


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  VNS1NV04DP-E  MOSFET Transistor, N Channel, 3.5 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV


儒卓力:
**2xLSS 250mOhm 40V SO-8 SMD **


VNS1NV04DP-E中文资料参数规格
技术参数

额定功率 4 W

输出接口数 2

输出电流 1.7 A

供电电流 0.1 mA

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4 W

阈值电压 500 mV

漏源极电压Vds 45 V

输出电流Max 1.7 A

输入数 1

耗散功率Max 4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS1NV04DP-E
型号: VNS1NV04DP-E
描述:STMICROELECTRONICS  VNS1NV04DP-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
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VNS1NV04DP-E

ST Microelectronics 意法半导体

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