STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics
OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。
线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹
### 智能电源开关,STMicroelectronics
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N Tube
富昌:
VNS1NV04 Series 40V 1.7 A OMNIFET II Fully Auto-Protected Low-Side Driver-SOIC-8
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 2-OUT 1.7A 0.25Ohm Automotive 8-Pin SO N Tube
TME:
Driver; low-side switch; 1.7A; 4W; Channels:2; SO8; Package: tube
Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E MOSFET Transistor, N Channel, 3.5 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
儒卓力:
**2xLSS 250mOhm 40V SO-8 SMD **
额定功率 4 W
输出接口数 2
输出电流 1.7 A
供电电流 0.1 mA
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 4 W
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 45 V
输出电流Max 1.7 A
输入数 1
耗散功率Max 4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
VNS1NV04DP-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNS1NV04DPTR-E 意法半导体 | 类似代替 | VNS1NV04DP-E和VNS1NV04DPTR-E的区别 |