对比图
型号 VNS1NV04DP-E VNS1NV04DPTR-E
描述 STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mVSTMICROELECTRONICS VNS1NV04DPTR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 4 W 4 W
输出接口数 2 2
输出电流 1.7 A 1.7 A
供电电流 0.1 mA 0.1 mA
通道数 2 2
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 4 W 4 W
阈值电压 500 mV 500 mV
漏源极电压(Vds) 45 V 45 V
输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A
输出电流(Min) - 1.7 A
输入数 1 1
耗散功率(Max) 4 W 4000 mW
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.5 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99