ON SEMICONDUCTOR VN2222LLG 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 60V 150mA Ta 400mW Ta Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
贸泽:
MOSFET 60V 150mA N-Channel
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box
Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 7.5 Ohms; ID 150mA; TO-92; PD 400mW; VGS +/-20VDC; -55
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 60.0 V
额定电流 150 mA
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400 mW
阈值电压 2.5 V
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 150 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.45 mm
宽度 4.19 mm
高度 4.32 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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