对比图
型号 VN2222LLG VN2222LLRLRAG VN2222LL-G
描述 ON SEMICONDUCTOR VN2222LLG 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V小信号N沟道TO-92-3封装场效应管Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 150 mA 150 mA -
漏源极电阻 7.5 Ω 7.50 Ω 7.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 400 mW 400mW (Ta) 1 W
输入电容 60.0 pF 60.0 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 150 mA 150 mA -
输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta), 1W (Tc)
针脚数 3 - 3
阈值电压 2.5 V - 2.5 V
额定功率(Max) 400 mW - 1 W
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
长度 4.45 mm - 5.08 mm
宽度 4.19 mm - 4.06 mm
高度 4.32 mm - 5.33 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bag
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2018/01/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99