VS-GB90SA120U参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB90SA120U概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 149A 4Pin SOT-227

IGBT Module NPT Single 1200V 149A 862W Chassis Mount SOT-227

得捷:
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 149A

VS-GB90SA120U中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 862000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 862 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 862000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GB90SA120U

型号： VS-GB90SA120U

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 149A 4Pin SOT-227

替代型号VS-GB90SA120U

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VS-GB90SA120U Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
VS-GB75SA120UP 威世	类似代替	VS-GB90SA120U和VS-GB75SA120UP的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

VS-GB75SA120UP

威世

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