对比图
型号 VS-GB75SA120UP VS-GB90SA120U
描述 VISHAY VS-GB75SA120UP 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 131 A, 3.3 V, 658 W, 1.2 kV, SOT-227Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 149A 4Pin SOT-227
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Chassis
引脚数 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
耗散功率 658 W 862000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V
额定功率(Max) 658 W 862 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 862000 mW
针脚数 4 -
极性 NPN -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free