小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
N-Channel 60V 150mA Ta 400mW Ta Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 60.0 V
额定电流 150 mA
漏源极电阻 7.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400mW Ta
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 150 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VN2222LLRLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
VN2222LLRLRA 安森美 | 完全替代 | VN2222LLRLRAG和VN2222LLRLRA的区别 |
VN2222LL 安森美 | 完全替代 | VN2222LLRLRAG和VN2222LL的区别 |
VN2222LLG 安森美 | 类似代替 | VN2222LLRLRAG和VN2222LLG的区别 |