VNS3NV0413TR

VNS3NV0413TR图片1
VNS3NV0413TR概述

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Description

The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

Features

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

■ Direct access to the gate of the Power MOSFET analog driving

■ Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

VNS3NV0413TR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 3.5 A

漏源极电阻 120 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 8.3 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输出电流Max 7 A

输入数 1

耗散功率Max 8300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

封装 SOP-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS3NV0413TR
型号: VNS3NV0413TR
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
替代型号VNS3NV0413TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNS3NV0413TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VNS3NV04D13TR

意法半导体

功能相似

VNS3NV0413TR和VNS3NV04D13TR的区别

VNS3NV04D

意法半导体

功能相似

VNS3NV0413TR和VNS3NV04D的区别

VNS3NV04

意法半导体

功能相似

VNS3NV0413TR和VNS3NV04的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台