VNS3NV0413TR和VNS3NV04D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNS3NV0413TR VNS3NV04D VNS3NV04D13TR

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管电源管理FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOP-8 SOIC-8 SOIC-8

输出接口数 1 2 2

输出电流 3.5 A - -

漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 120 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 8.3 W 4000 mW 4000 mW

漏源击穿电压 40.0 V 45.0 V 45.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.50 A

输出电流(Max) 7 A 3.5 A 3.5 A

输入数 1 - -

耗散功率(Max) 8300 mW 4000 mW 4000 mW

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

通道数 - 2 2

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

输出电流(Min) - 3.5 A 3.5 A

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

封装 SOP-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台