VND5N07-1-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND5N07-1-E概述

VND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全自动保护功率 MOSFET - IPAK

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A I-PAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube

安富利:
Power Switch Lo Side 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

富昌:
VND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全自动保护功率 MOSFET - IPAK

Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube

VND5N07-1-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 7 A

供电电流 0.25 mA

耗散功率 60 W

输入电压Max 18 V

输出电流Max 3.5 A

输出电流Min 5 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 60000 mW

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND5N07-1-E

型号： VND5N07-1-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：VND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全自动保护功率 MOSFET - IPAK

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