对比图
描述 OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFETVND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全 自动保护 功率 MOSFET - IPAK
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 开关电源FET驱动器
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3
输出接口数 1 1
供电电流 0.25 mA 0.25 mA
漏源极电阻 200 mΩ -
耗散功率 60000 mW 60 W
漏源击穿电压 70.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A -
输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW
输出电流 - 7 A
输入电压(Max) - 18 V
输出电流(Min) - 5 A
输入数 - 1
输入电压 - 18 V
高度 6.2 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99