VND7N04参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND7N04概述

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 4A DPAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube

VND7N04中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 140 mΩ

耗散功率 60000 mW

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 4 A

输入数 1

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VND7N04引脚图与封装图

在线购买VND7N04

型号： VND7N04

描述：“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET

替代型号VND7N04

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND7N04 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND7N04-E 意法半导体	类似代替	VND7N04和VND7N04-E的区别
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