对比图
型号 VND7N04 VND7N0413TR VND7N04-E
描述 “ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFETVND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护 功率MOSFET-TO-252-3晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 42.0 V -
额定电流 - 7.00 A -
输出接口数 1 1 1
供电电流 - 0.25 mA 0.25 mA
漏源极电阻 140 mΩ 140 mΩ 0.14 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 60000 mW 60 W 60 W
漏源击穿电压 42.0 V 42 V 42.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A
输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V
输出电流(Max) 4 A 4 A 4 A
输出电流(Min) - 4 A 4 A
输入数 1 1 1
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW
输出电流 - - 11 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) - - 42 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
输入电压 - - 18 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99