OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A I-PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK
艾睿:
Power Switch Lo Side 1-OUT 5A 0.2Ohm 3-Pin3+Tab IPAK Tube
输出接口数 1
供电电流 0.25 mA
漏源极电阻 200 mΩ
耗散功率 60000 mW
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输出电流Max 3.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND5N07-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VND5N07-1-E 意法半导体 | 类似代替 | VND5N07-1和VND5N07-1-E的区别 |