VNB49N04概述
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 28A D2PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
艾睿:
Power Switch Lo Side 28A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
VNB49N04中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 20 mΩ
耗散功率 125 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 42 V
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 49.0 A
钳位电压 42 V
输出电流Max 28 A
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16
在线购买VNB49N04
型号： VNB49N04
描述：？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
替代型号VNB49N04
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNB49N04 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNB49N0413TR 意法半导体 | 类似代替 | VNB49N04和VNB49N0413TR的区别 |