STMICROELECTRONICS VNQ660SP-E 驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10
电源 IC,高侧电源开关,STMicroelectronics
高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。
### 智能电源开关,STMicroelectronics
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
立创商城:
VNQ660SP E
欧时:
STMicroelectronics VNQ660SP-E 通用驱动器, 10引脚 PowerSO封装
贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution Quad Channel Hi-Side
e络盟:
驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10
艾睿:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube
安富利:
Power Switch Hi Side 6A 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube
富昌:
VNQ660SP Series 36 V Quad Channel High Side Solid State Relay - PowerSo-10
Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 4-OUT 6A 0.04Ohm Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube
TME:
Driver; high-side switch; 10A; Channels:4; SO10
Verical:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube
Newark:
MOSFET Driver, High Side, 6V-36V supply, 10A and 0.04 ohm output, SOIC-10
儒卓力:
**4xHSS 50mOhm 36V PwrSO-10 SMD **
电源电压DC 6.00V min
输出接口数 4
输出电流 6 A
供电电流 6 mA
通道数 4
针脚数 10
耗散功率 113.6 W
输出电流Max 6 A
输出电流Min 6 A
输入数 4
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 114000 mW
电源电压 6V ~ 36V
电源电压Max 36 V
电源电压Min 6 V
输入电压 6V ~ 36V
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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VNQ660SP-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNQ660SP 意法半导体 | 功能相似 | VNQ660SP-E和VNQ660SP的区别 |