VNQ660SP-E

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VNQ660SP-E概述

STMICROELECTRONICS  VNQ660SP-E  驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10

电源 IC,高侧电源开关,STMicroelectronics

高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10


立创商城:
VNQ660SP E


欧时:
STMicroelectronics VNQ660SP-E 通用驱动器, 10引脚 PowerSO封装


贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution Quad Channel Hi-Side


e络盟:
驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10


艾睿:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


安富利:
Power Switch Hi Side 6A 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube


富昌:
VNQ660SP Series 36 V Quad Channel High Side Solid State Relay - PowerSo-10


Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 4-OUT 6A 0.04Ohm Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


TME:
Driver; high-side switch; 10A; Channels:4; SO10


Verical:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


Newark:
MOSFET Driver, High Side, 6V-36V supply, 10A and 0.04 ohm output, SOIC-10


儒卓力:
**4xHSS 50mOhm 36V PwrSO-10 SMD **


VNQ660SP-E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 6.00V min

输出接口数 4

输出电流 6 A

供电电流 6 mA

通道数 4

针脚数 10

耗散功率 113.6 W

输出电流Max 6 A

输出电流Min 6 A

输入数 4

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 114000 mW

电源电压 6V ~ 36V

电源电压Max 36 V

电源电压Min 6 V

输入电压 6V ~ 36V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNQ660SP-E引脚图与封装图
VNQ660SP-E引脚图
VNQ660SP-E封装图
VNQ660SP-E封装焊盘图
在线购买VNQ660SP-E
型号: VNQ660SP-E
描述:STMICROELECTRONICS  VNQ660SP-E  驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10
替代型号VNQ660SP-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNQ660SP-E

ST Microelectronics 意法半导体

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意法半导体

功能相似

VNQ660SP-E和VNQ660SP的区别

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