VNQ660SP和VNQ660SP-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNQ660SP VNQ660SP-E VNQ660SP13TR

描述 四通道高侧固态继电器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAYSTMICROELECTRONICS  VNQ660SP-E  驱动器芯片, 高压侧, 6V-36V电源, 10A输出, 40µs延迟, SOIC-10四通道高侧固态继电器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 12 10 10

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

电源电压(DC) 36.0V (max) 6.00V (min) 36.0V (max)

输出接口数 4 4 4

输出电流 6 A 6 A -

供电电流 40.0 mA 6 mA 6 mA

通道数 4 4 4

针脚数 - 10 -

耗散功率 113600 mW 113.6 W 113600 mW

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输出电流(Min) - 6 A 6 A

输入数 - 4 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 114000 mW 113600 mW

电源电压 6V ~ 36V 6V ~ 36V 6V ~ 36V

电源电压(Max) 36 V 36 V -

电源电压(Min) 5.5 V 6 V -

输入电压 - 6V ~ 36V -

额定电压(DC) 36.0 V - -

漏源极电阻 130 mΩ - 130 mΩ

漏源极电压(Vds) 41.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 18.0 mA - -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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